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120V低內阻MOS 綠星DG120N01S

120V低(dī)內阻(zǔ)MOS 綠星DG120N01S

產品詳情

120V低內阻MOS 綠星DG120N01S

顛覆(fù)業界傳統的低壓MOS製程(chéng),大幅降低RDS內阻切換損失。

台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽(cáo)創新技術,將內阻(zǔ)值死磕到底,肉眼可見的出類拔萃(cuì)。

美(měi)瑞電子致力於推動品質專線邁入普(pǔ)惠時代,帶入千行百(bǎi)業。

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