綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用第三代DG-FET工藝，DG-FET係列具有（yǒu）高速開笑速度，業界傑出的Ron-Crss性能。
綠星電子致力於通過不斷開發新電源半（bàn）導體技術（shù）,產品和創新解決方案,為客戶提供（gòng）卓越的（de）設計,製造和響應能力（lì）。我們通過（guò）滿足其產品特定需求,為（wéi）客（kè）戶帶（dài）來受益的（de）產品。
綠星MOS DG100N02PB TO-220AB
silicongear使用（yòng）第三代（dài）DG-FET工藝，DG-FET係列（liè）具有高速開笑速度，業界傑出（chū）的（de）Ron-Crss性（xìng）能。
綠星（xīng）電子（zǐ）致力於通過不斷開發新電源半導體技術,產品和創新解決方案,為客戶提供卓越的設計,製造和響（xiǎng）應能力。我們通過滿足其產品特定（dìng）需求,為客戶帶來受益的產（chǎn）品。
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經營產品：碳化矽器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆（duī）、低壓MOS、超結MOS
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