適用（yòng）於BMS鋰電保護的低壓MOS

WMB100N04TS

維安（ān）（WAYON）WMB100N04TS是（shì）一（yī）款N溝道增強型功率MOSFET，專為高效開關（guān）應用設計（jì），常（cháng）見於電源管（guǎn）理、電機控製等場景。

主要參（cān）數
- 漏源電壓（VDSS）：40V，適用於中（zhōng）等電壓電路。
- 連續漏極電流（ID）：125A（在25°C環境溫度下），支持大電流負載。
- 導通電阻（RDS(on)）：最大4.6mΩ（測試條件（jiàn）：VGS=4.5V），低導阻可（kě）減少功率損耗。
- 柵極電荷量（QG）：95nC（VGS=10V），反映柵極驅動需求。
- 工作溫度範（fàn）圍：-55°C至+150°C，適應寬溫環境。
- 封裝形式：PDFN5060-8L（無鉛、符合（hé）RoHS），便於SMT貼裝。

特性與應用
- 低開關損耗：導通電阻小，適合高頻開關（guān）場景（如DC-DC轉換（huàn）器）。
- 典型應（yīng）用：同步整流、負載開關、電源模塊等。

注意事項
- 選型（xíng）時需確保柵極驅（qū）動電壓滿足閾值要求（VGS(th)典型值2.5V）。
- 高電流應用下需注意散熱設（shè）計，以（yǐ）充分發揮其（qí）125A電流能力。

如需詳細數（shù）據手冊或封裝（zhuāng）尺寸，建議（yì）參考官方資料獲取PDF文檔。