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東莞策驰影视電(diàn)子是WAYON維安半導體較早(zǎo)—批代理(lǐ)商,於2018年麵對電源市場(chǎng)推廣性能優越的MOSFET功率器件產品(pǐn),覆蓋650V,700V,800V多種封裝高壓超(chāo)結(jié)MOSFET,歡迎點擊了解。
WMB043N10LGS 是一款由上海維安(Wayon)生產的 N 溝道增強型功率 MOSFET,常用於開關電源等電路中作為同步整流管(guǎn)。
以下是該器(qì)件的關鍵參數和特性:
* 主要(yào)參數:
* 漏源(yuán)電壓 (Vdss):100V
* 連續漏極電流(liú) (Id):120A
* 導(dǎo)通電(diàn)阻 (RDS(on)):典(diǎn)型值為 4.5mΩ(在 Vgs=10V 條件下)
* 耗散功率 (Pd):131.6W
* 封裝(zhuāng)形式:DFN-8L (5x6mm)
* 特性(xìng)與應用:
* 這款 MOSFET 采(cǎi)用先進(jìn)的工藝製造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,有助於提升電源轉換效率。
* 其工作(zuò)溫度範圍較寬,可(kě)達(dá) -55℃ ~ +150℃,適用於多種工作環境。
* 根(gēn)據公開的拆解報告,該型號器件被應用於多(duō)款高功率快充充電器中(zhōng)(如 TOMAX 140W 氮化镓充電器、Baseus 倍(bèi)思 67W 伸縮線充電器等),作為同步整流電路的核心開關管(guǎn),負責將高(gāo)頻變壓器輸(shū)出的交流電整流為(wéi)直流電,以實現高效的能(néng)量轉換。
* 注意事項:
* 在(zài)使用(yòng)時,需(xū)確保其柵極驅動電壓符合要(yào)求,並注意散熱設計以充分發揮其電流處理能力。