LSD65R180GMB是（shì）一款 N-Channel MOSFET，其主要參數如下：
• 最大漏源電壓 (V_DS)：650 V
• 最大漏極電流（liú） (I_D)：20 A
• 最大功耗 (P_D)：34 W
• 最大柵源（yuán）電壓 (V_GS)：±30 V
• 最大門閾電壓 (V_GS(th))：5 V
• 總柵電荷 (Q_g)：約 39 nC
• 輸出電容 (C_oss)：約 1250 pF
• R_DS(on)：最大約 0.18 Ω

龍騰半（bàn）導（dǎo）體多層外延MOS技術介紹
技術概述

龍騰半導（dǎo）體自主（zhǔ）開（kāi）發（fā）的超高壓950V超結SJ MOS平台采用了先（xiān）進的‌多次外延結構設（shè）計‌，這是一種創新的功率半導體技術。該技術在（zài）保（bǎo）證高耐壓的基礎（chǔ）上，有效減少了器件內部的（de）寄生電容，進一步優化了開關（guān）過程中的能量損失。

技術特（tè）點與優勢

極低導通損耗‌

Rsp(比導（dǎo）通電阻)較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗
可（kě）在植物照明電源等應用中實現更高（gāo）能效

超快（kuài）動態性能‌

FOM(Qgd)優化14.5%
開關損耗(Eon/Eoff)分別降低18.5%和43.1%
助力高頻（pín）電（diàn）源設計簡化

卓越可靠性‌

Trr(反向恢（huī）複時間)縮（suō）短13.6%，減少開關噪聲
多（duō）次外延工藝增強了（le）器件耐（nài）壓能力
支持（chí）950V高壓場景下的長期穩定運行（háng）

工藝創新‌

采用多次外延結構設計
優化了器（qì）件內部電場分布
提（tí）高了整體性能和可靠性
應用領域

龍騰半（bàn）導體多層外延MOS技術廣泛應用於以下領域：

應用領域 具體應用場景
電源係統 LED驅（qū）動電源、適配器、PD充電器（qì）、開關電源、計（jì）算（suàn）機（jī）及服務器電源
新能源 光伏逆變器、儲能（néng）係統（tǒng）、充電樁（zhuāng）
工業電子 電池化成電源（yuán）、工業電源
消費電子 便攜儲能設備、戶外電源
技術（shù）對比分析

與傳統MOSFET技術相比，龍騰半（bàn）導體多層外延MOS技術具有顯著優勢：

與傳統平麵VDMOS對（duì）比（bǐ）‌

克服了導通電阻隨擊穿電壓急劇增大的缺點
提升了係統效率
保持了輸入阻抗高、開關速度（dù）快、工作頻率高等優（yōu）點

與（yǔ）常規超（chāo）結MOSFET對比‌

采用多次外延工藝，增強了（le）耐壓（yā）能力
優化了內（nèi）部電場分布
提高了開關性能和可靠性

市場定（dìng）位‌

填補了國產高端功（gōng）率半導體器件空（kōng）白
在950V高壓應用場景具有競爭優勢
適用於對能效和可靠性要求高的（de）應用
技術發展前景

隨著可再生（shēng）能源、新能源汽車及5G通（tōng）信等領域的蓬勃發展，功率半導體的需求持續攀升。龍騰半（bàn）導（dǎo）體多層外延MOS技術憑借其高（gāo）性能和可靠性，有望在以下領域獲得更廣泛應用：

新能源汽車‌：車載充電機、DC-DC轉換（huàn）器等
工業自動化（huà）‌：伺服驅動、工業電（diàn）源等（děng）
數據中心‌：服務器電源、UPS等
智能（néng）家居‌：高效電源適配器等

該技術的持續創（chuàng）新將助（zhù）力我國功率半導體產業提升國際競爭力，滿足（zú）日益增長的高效能源轉換需求。