龍騰（téng）半導體（tǐ）LSG65R650GMB TO-252功率MOSFET產品（pǐn）介紹
產品概述

LSG65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出的（de）一款N溝道功率MOSFET，采用先進的超結(Super Junction)技術製造，封（fēng）裝形式為TO-252(DPAK)。該產品屬於龍騰半（bàn）導體650V高壓MOSFET係列，專為高效率電（diàn）源轉換（huàn）應用而設計，特（tè）別適合空（kōng）間受限的（de）中（zhōng）小功率場景。

技術參數
參（cān）數名（míng）稱 參（cān）數（shù）值 備注
漏源電壓（yā）(Vdss) 650V 最大（dà）額定值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環境（jìng）溫度下
柵源極閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大功（gōng）率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形式 TO-252(DPAK) 表（biǎo）麵貼裝型
技術類型 超結VDMOS Super Junction技術

注：以上參數基於類似型號（hào）LSG65R650HT的技術規（guī）格整理，建議聯係龍騰半導體獲取LSG65R650GMB的精確（què）參數。

TO-252封裝特點

結構設計‌

表麵貼裝型功率封裝，尺寸比直（zhí）插式封裝小
背麵有較大散熱焊盤，可（kě）直接焊接在PCB上
散熱銅箔麵積達（dá）25mm²，配合（hé）1.6mm厚FR4基板可實現（xiàn）8℃/W熱阻

散熱性能‌

通過PCB進行散熱，需設計大麵（miàn）積覆銅和散熱過孔
在（zài）器件3mm範圍內（nèi）建議布置溫度傳感器
工作（zuò）環境溫度超過70℃時建議添加微型散熱鰭片

與（yǔ）TO-220F對比‌

體積更小，適合高密度布局和空間受（shòu）限（xiàn）場景
散（sàn）熱性（xìng）能略低於TO-220F，但更節省空間
適用（yòng）於高壓在7N以（yǐ）下，中（zhōng）壓在（zài）70A以下環境中
產品特點

高效率設計‌

采用超結(Super Junction)技術，顯著降（jiàng）低導通電（diàn）阻
相比傳統平麵MOSFET，導通損耗降低約22.3%
優化的柵極電荷特性，減少開關損（sǔn）耗

高可靠性‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測（cè）試
符（fú）合RoHS環保規範，無鉛無（wú）鹵（lǔ）素
優化的熱設計（jì），提高（gāo）高溫（wēn）工作穩定性（xìng）

應用友好性‌

標準（zhǔn）TO-252封裝，便於自動化（huà）生產
與行業主流MOSFET引腳兼容
簡化電路設計，降低係統成本
應用領域

LSG65R650GMB適用於多種高效率電源轉換場景：

應用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源（yuán）、適配（pèi）器、PD快充
計算（suàn）機 服務器電源、PC電源
工業電（diàn）子 開關電源、工業電源
新能源 光伏逆變器輔助電源

特別適用於需要高效率、高（gāo）功率密度且空間受限（xiàn）的電源設計場景。

使用建議

電路設計注意事（shì）項‌

建議工作電（diàn）壓不超過520V，留足設計餘（yú）量
柵極驅動電（diàn）阻推薦值10-22Ω，平衡開關速度與EMI
確保PCB散熱設計良好，建議使用2oz銅厚（hòu）

焊接工（gōng）藝‌

回流焊峰值溫度需控製在260℃以內(10秒（miǎo）持續時間)
手工補（bǔ）焊時應避免烙鐵（tiě）直接（jiē）接觸散熱焊盤
維修時需（xū）要專用熱風拆焊設備

可靠（kào）性保障‌

避免超（chāo）過最大額定參數使用
注意PCB布局，減少寄生（shēng）參數影響
建議進（jìn）行老化測試驗證長期可靠性
製造商背景

龍騰（téng）半導體有限公司是一家專注於新型功率半導體器件研發的高新技術企業，通過ISO9001-2015質量體係認證。公司在功率半導（dǎo）體領（lǐng）域（yù）擁有83項（xiàng）專利，並參與製定了超結功率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品線（xiàn）涵蓋超結MOSFET、IGBT、快恢複（fù）二極管等（děng）多個係列（liè），廣（guǎng）泛應用（yòng）於消費電子、工業電源、新能源汽車等領域（yù）。龍（lóng）騰半導體建有國內一流的研發中心和應用測（cè）試實驗室，持續推動功率半導體技術創新。