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WMO26N65C4

產品詳情

WMO26N65C4 產品介紹

WMO26N65C4 是上海維安半導體 (WAYON) 推出（chū）的一款N 溝道（dào）超結 MOSFET，屬於其第四代 WMOS™ C4 係列產品，專為高壓、高效（xiào）開關電源應用設（shè）計，采用電荷平衡技術實現（xiàn）超低導通電阻和低柵極電（diàn）荷性能。

一、核心參（cān）數規格

參數	數值（zhí）	備注
型號	WMO26N65C4	維安 WMOS™ C4 係（xì）列超結 MOSFET
晶體管類型	N 溝道增強型	-
封裝	TO-252 (DPAK)	表麵貼裝封裝，適合高密度設計
漏源極電壓 (VDS)	650V	最大額定值，結溫最大（dà）時可達 700V
柵源極電壓 (VGS)	±30V	最大額定值
導通電阻 (RDS (on))	典型值 0.16Ω，最大值 0.19Ω	@VGS=10V，25℃
漏極電流 (ID)	18A	@TA=25℃，連續直流電（diàn）流
最（zuì）大功耗 (PD)	135W	@TA=25℃
柵極閾值電壓 (VGS (th))	2.5-4.0V	典型值 3.0V，ID=250μA 時（shí）
總（zǒng）柵極（jí）電荷 (Qg)	22.1nC	典型值，VGS=10V，VDS=325V 時
反向（xiàng）傳輸電容 (Crss)	68pF	典型值，VDS=25V，f=1MHz 時
工作溫度範圍（wéi）	-55℃~150℃	結溫 (Tj) 範圍
UIS 測試	100% 通過	單脈衝雪崩能量測試合格
環保特性	無鉛、無鹵素	符合 RoHS 標準

二、技術特點與優勢

第四代 WMOS™ C4 超結技術：采用先進的（de）電荷（hé）平（píng）衡技術，實現導通電阻與柵極電荷的最佳平衡（héng），顯著降低（dī）開關損耗和（hé）導通損耗，提升電源轉換效率
高（gāo）電（diàn）壓裕量：在最大（dà）結溫條件下漏源極電壓可達 700V，提供額外的安（ān）全裕量，適合電網波動較大的應用場景（jǐng）
快速開關性能：低柵極電荷 (Qg) 和反向傳輸（shū）電容 (Crss) 設計，使器件具備（bèi）出色的（de）開關速度，減少開關過程中的能量損（sǔn）耗，提高係統效率
高雪崩（bēng）能量耐受（shòu）：100% 通過單脈衝雪崩能量測試 (UIS)，增強器件在異常工況（kuàng）下的可靠性，延長使用壽命
低柵極驅動需（xū）求：標準柵（shān）極閾值電壓 (2.5-4.0V)，可與大多數 PWM 控製器直接兼容，降低驅動電路設計複雜度

三、典型（xíng）應用領域

WMO26N65C4 憑借其優異的性能，廣泛應用於需要高功率密度和卓（zhuó）越效率的各類電源係統：

應用類（lèi）別	具體應用場景
開關電源 (SMPS)	PFC 升壓電路、LLC 諧振（zhèn）變換器、反激式變換器
快充充電器	65W-140W 氮化（huà）镓 / 超級矽快充充電器、多口充電器
適配器	筆記本電腦適配器、顯示器適配器、打印機適配器
照明設備	LED 驅動電源、工業（yè）照明電源
消費電子	液晶（jīng）電視電源板、PC 電（diàn）源、服務器電源
工業設備	工（gōng）業電源、通信（xìn）電源（yuán）、充電樁輔助電（diàn）源

四（sì）、係列產品對比

維安 WMOS™ C4 係列 26N65 型號（hào）根據（jù）封裝不同（tóng）有多個版（bǎn）本，核心電氣參數基本一致：

型號	封裝	主要區別
WML26N65C4	TO-220F	直插封（fēng）裝，散熱性能好，適合大電流應用
WMN26N65C4	TO-262	直插封裝，引腳布局不同
WMO26N65C4	TO-252 (DPAK)	表麵貼裝封裝（zhuāng），適合高密度（dù） PCB 設計
WMZ26N65C4	DFN8×8	無引腳封裝，極低寄生電感，適合高頻應用

五、製造商信息

** 上（shàng）海維安半導體 (WAYON)** 成立（lì）於 1996 年，是全球領先（xiān）的半導體功率器（qì）件和（hé）電路保護器（qì）件（jiàn）供應商之（zhī）一（yī），產品涵蓋過流保護 (PPTC、CPTC、保險（xiǎn）絲)、過壓保護（hù） (TVS、晶閘管、ESD)、過溫保護（hù） (熱熔斷器) 以及功率 MOSFET、BMS、保護 IC 等，廣泛（fàn）應用於工業設備和消費電子領域。

WMO26N65C4 作為其（qí） WMOS™ C4 係列超結 MOSFET 的重要成員，體現了維安在功率半（bàn）導體領（lǐng）域的技術實力，為各類電源係統提供高效、可靠的開關解決方案。

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WMO26N65C4 產（chǎn）品介紹

WMO26N65C4 是上海維安半（bàn）導體 (WAYON) 推出的一款N 溝道超（chāo）結 MOSFET，屬（shǔ）於其第四（sì）代 WMOS™ C4 係列產品，專為高壓、高效開關電源應用設計，采用電荷平（píng）衡技（jì）術實現超低導通電阻和低柵極電荷性能。

一、核心參數規格

參數	數（shù）值	備注
型號	WMO26N65C4	維安 WMOS™ C4 係列超結 MOSFET
晶體管類（lèi）型	N 溝道增強型	-
封裝	TO-252 (DPAK)	表（biǎo）麵貼裝封裝，適合（hé）高密度設計（jì）
漏源極電壓 (VDS)	650V	最（zuì）大額定值，結溫最大時可達 700V
柵源極電壓 (VGS)	±30V	最大額定（dìng）值
導通（tōng）電阻 (RDS (on))	典型值 0.16Ω，最大值 0.19Ω	@VGS=10V，25℃
漏極電流 (ID)	18A	@TA=25℃，連續直流電流
最大功耗 (PD)	135W	@TA=25℃
柵極閾值電壓 (VGS (th))	2.5-4.0V	典型值 3.0V，ID=250μA 時
總柵（shān）極電荷 (Qg)	22.1nC	典型值，VGS=10V，VDS=325V 時
反向傳輸電容 (Crss)	68pF	典型（xíng）值，VDS=25V，f=1MHz 時
工作（zuò）溫度範圍	-55℃~150℃	結溫 (Tj) 範（fàn）圍
UIS 測試	100% 通（tōng）過	單脈衝雪崩能量測試合（hé）格
環保特性	無鉛、無鹵（lǔ）素	符合 RoHS 標準

二、技術（shù）特點（diǎn）與優勢

第四代 WMOS™ C4 超結技術（shù）：采（cǎi）用（yòng）先進的電（diàn）荷平衡技術，實現（xiàn）導通電阻與柵極電荷（hé）的最佳平衡，顯著降低開關（guān）損耗和導通損耗，提升電源轉換效率
高電壓裕量：在最大結溫條（tiáo）件下漏源極電壓可達 700V，提供額外的安全裕量，適（shì）合電（diàn）網波動較大的應用場景
快速開關性能：低柵極電荷 (Qg) 和反向傳輸電容 (Crss) 設計，使器件具備出色的開關（guān）速度，減少開關過程中的能量損耗，提高係統效率
高雪崩能量耐受：100% 通過單脈（mò）衝雪崩能量測試 (UIS)，增強器件在異常工況下的可靠性，延長使（shǐ）用壽命
低柵極驅（qū）動需求：標準柵極閾值電壓 (2.5-4.0V)，可與大多數 PWM 控製器直接兼容，降低驅動（dòng）電路設計複雜度

三、典型應用領域

WMO26N65C4 憑借其優異的性能，廣泛應用於需要高功率密度和卓越（yuè）效率的各類電源係統：

應用類別	具體應用場（chǎng）景
開關電源 (SMPS)	PFC 升（shēng）壓電路、LLC 諧振變換器、反激式變換器
快充充電器	65W-140W 氮化镓 / 超級矽快（kuài）充充電器、多口充電器（qì）
適配器	筆（bǐ）記本電腦適（shì）配器、顯示器適配器（qì）、打印機適配器
照明設備	LED 驅動電源、工業（yè）照明電源
消費電子	液晶電視電（diàn）源板、PC 電源、服務器電源
工業設備	工業（yè）電源、通信電源、充電樁輔助電源

四、係列產品對比

維安 WMOS™ C4 係列 26N65 型（xíng）號根（gēn）據封裝不同有多個版本，核（hé）心電氣參數基本（běn）一致：

型號	封裝	主要區別
WML26N65C4	TO-220F	直插封裝，散（sàn）熱性能好，適合大電流應用
WMN26N65C4	TO-262	直插封裝，引腳布局不同（tóng）
WMO26N65C4	TO-252 (DPAK)	表麵貼裝封裝，適合高密度 PCB 設計
WMZ26N65C4	DFN8×8	無引腳封裝，極低寄生電感，適合高頻應用

五、製造商信息

** 上海（hǎi）維（wéi）安半導體 (WAYON)** 成立於 1996 年，是全球領先的半導體功率器件和電路保護（hù）器（qì）件供應商之一，產品涵（hán）蓋過流保護 (PPTC、CPTC、保險（xiǎn）絲)、過壓保護（hù） (TVS、晶閘管、ESD)、過溫保（bǎo）護 (熱熔斷器) 以及功率 MOSFET、BMS、保護 IC 等，廣泛（fàn）應（yīng）用於工業設備和消費電子領域。

WMO26N65C4 作為（wéi）其 WMOS™ C4 係列超結 MOSFET 的（de）重要成員，體現了維安在功率半導體領域的技術實力，為各類電源係（xì）統提供高效、可靠（kào）的開關解決方案。