VDMOSFET（平麵MOS）全稱垂直型雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管（guǎn）（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它具有高輸入阻抗，開關速度快，熱（rè）穩定性好等優點，同時具有正溫度係數和良好的電流自調節能力（lì）。

維安VDMOS的產品（pǐn）優勢及特點

在VDMOSFET的設計中，維（wéi）安重點優化耐壓和導通電阻的矛盾，提高耐壓（yā）並兼顧低導通電阻；同時降低Qg及開關損耗。維（wéi）安VDMOSFET通過優化設計提高雪崩耐（nài）量、拓寬安全工作區進而（ér）提高通用性和耐用性。針對工業（yè）控製等高可靠應用場景，維（wéi）安開發高質量的氮化矽鈍化層工藝，顯著提高器件的可靠性。

依托維（wéi）安成熟的電源及工業控（kòng）製客戶群，維（wéi）安開（kāi）發了200V-1500V的VDMOSFET產品，電流涵蓋2A~40A，封裝涵蓋TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等；

VDMOS被廣泛應用於適（shì）配器、LED驅動電源、TV電源（yuán）、工（gōng）業控製、電（diàn）機調速、音頻放大、高頻振蕩器、不間斷電源、節能燈、逆變器等各個領域（yù）。

維安（ān）MOS管（guǎn）-功率半導體作為電力係統的（de）重要組成部（bù）分（fèn），是提升能源效率的（de）決（jué）定（dìng）性因素之一。未來維安會結合客戶應用（yòng）開發更多的VDMOS新規格、新封裝；比如高壓300V，400V快恢複係列（liè）等規格。為（wéi）客（kè）戶提供更多選擇，以在高（gāo）性能效率轉換（huàn）、高可靠（kào）應（yīng）用場合實現效率、功率密度和（hé）可靠性的最佳組合（hé）。