提到碳化矽（SiC），人們的第一反應是其性能優（yōu）勢，如更低損耗（hào）、更高電壓、更高頻率、更小（xiǎo）尺寸和更（gèng）高（gāo）結溫，非常適合製造大功率電子器（qì）件；如（rú）果說到應用，大（dà）多（duō）數人（rén）都會（huì）說它成本太高，推廣起來需假以時日（rì），等等。事實上，在一些有性能、效率、體積、散熱，甚至係統成本有要（yào）求的應用中，典（diǎn）型代（dài）表行業如電源（yuán）。

那麽，基（jī）於如此明顯的優勢的碳化矽（guī）材料製成的碳化矽肖特（tè）基器件能帶來哪些優勢呢？

1、器件（jiàn）自身優勢：擊穿電壓（yā）高（常用電（diàn）壓有（yǒu）650V/1200V）、可靠性高（結（jié）溫175℃ ）、開關損耗小和導（dǎo）通損耗小、器件反向恢複時間幾乎為0，且恢複電壓應力較小（參考下圖），有利於降低係統噪聲，提高EMI裕量。

2、應用優（yōu）勢：在CCM PFC電路中，碳化矽肖特基較小的反向恢複（fù）電流可以降低主功率（lǜ）MOSFET開啟瞬間的（de）電流應力，從而使（shǐ）它能夠以較少的熱損失轉換電能，矽半導體（tǐ）必（bì）須大得多才能實（shí）現相同的性能。這體現在產品上，即碳化矽肖特基（jī）在降低電源溫度提高轉換效率的同時還能顯著減小電源的尺寸，這將為製造商帶來巨大的效益。

功率（lǜ）半導體（tǐ）作為電力（lì）係統的組成部分，是提升能源效率的決定性因素之一。在肖特基發展曆程中，追求更低損耗是行業一（yī）直以來的共同目標，肖特基器件損耗主要由導通（tōng）損耗和開關損耗導致，且無用（yòng）功（gōng）損耗會以發熱的行式釋放，使電源溫度升高。

從設計人員的角（jiǎo）度來看，正向（xiàng）壓降與（yǔ）電容二者之間的（de）平衡（héng）至關重要，而使用（yòng）新工藝可以帶來更優的綜合（hé）性能。目（mù）前碳化（huà）矽肖特基產品工藝（yì）節點大致可以分為4個：

第一代產品芯片厚度以300μm以上（shàng）為工藝節點，常見厚度為300μm、350μm、390μm厚度。此（cǐ）工藝製造的芯（xīn）片厚度較厚，對加工過程中減劃、金屬化等等工藝要求較（jiào）低，但是缺點（diǎn）也（yě）是顯而易見的，由（yóu）於芯片較厚故很難在正（zhèng）向壓降和電容（róng）之間得到一個較優的綜（zōng）合性能，目前（qián）國內少部分廠家還沿用此工藝。

第二代產品以芯片（piàn）厚度為250μm為代表。目前國內廠家量產產（chǎn）品大多采用此節點工藝，維安第（dì）一代產品也是基於此節點工藝進行開發（目前已經更新到第三代），但是此工藝較國際一線大廠還有一定差距。

第三代產品以芯片厚（hòu）度150μm為代表。這個工藝節點也是國內大多數廠家在21年底到22年（nián）初（chū）推出的新（xīn）工藝（yì）平台（tái），大部分（fèn）廠家目前還正在處於（yú）研發階段，部分國際一線大廠量產產品采用150μm工藝節點，例如CREE C6係列（liè）在此節點工藝進行開發，但此工（gōng）藝具國際最優水平還有一定差距。

第四代（dài）產品以（yǐ）100μm厚度為代表。此工（gōng）藝水平（píng）為目前國際最優量產水平，國際上英飛淩C6等（děng）產品采用此（cǐ）節點工藝進行開發，得（dé）到VF和電容性能的綜合優勢，維安目前量（liàng）產主推工藝也是采用此節點，工藝水（shuǐ）平領先國內主流1代~1.5代（dài）水平。

3年的潛心（xīn）研發，加之在開發過程中不斷自我優化迭代（dài），維安（ān）碳化矽肖特（tè）基產品曆經250μm、150μm、100μm三次更新，目前量產產品全部采用100μm節點（維（wéi）安第三代）薄片工藝，通（tōng）過降低（dī）芯片厚度降低導通（tōng）損耗和使用縮小有效結麵積的方法降低電容，使器件電流密度，導通損耗和開（kāi）關損耗等器件參數（shù）性能優於同行業水平。

手機等消費類電（diàn）源、太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、工（gōng）業控（kòng）製特種電源……作（zuò）為（wéi）一個重（chóng）要（yào）的快速發展的應（yīng）用領域，電源行業的發展受益於功率器件技術進步，反過來又推動（dòng）了功率器件的研發製造活動。在電源模塊中使用碳化矽肖特基器件，具有以下優勢：

· 開關損耗極低；

· 較高的開關頻率；

· 結（jié）溫高，從而降低（dī）了（le）冷卻要求和散熱要求；

· 更小封裝，適（shì）合更緊湊的（de）方案；

維安（ān）碳化矽肖特基推出以下係列產（chǎn）品：

維（wéi）安產品仍在不斷自我優化，持續推出損（sǔn）耗更（gèng）小，開關速（sù）度更高的碳化矽肖特（tè）基器件。維安碳化矽，讓您的電源效率（lǜ）更高、工作溫度更（gèng）低。

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