第一電路設計。讓(ràng)
mos管(guǎn)工作在線(xiàn)性工(gōng)作狀態(tài),而不(bú)是(shì)開關狀態。如果(guǒ)用N-mos做開關,G電平電壓要比電源高幾V才能完全導通,P-mos則(zé)相(xiàng)反。不完全(quán)打開導致壓降過大導致功耗,等效DC阻抗比較大,壓降增大,所以(yǐ)U*I也增大,損耗就是發熱。
第二,工作頻(pín)率。這是調試過(guò)程中常見的現象,降(jiàng)頻主(zhǔ)要是兩個方麵造成的。輸入電壓與負載(zǎi)電壓之比小,係統幹擾大。對於前者,請注意(yì)不要(yào)將負載電壓設置得太高,盡管負(fù)載電壓(yā)高(gāo)時(shí)效率會更高。對(duì)於後者,可以(yǐ)嚐試以下幾個方麵:
1.將最小電流設(shè)置為較小的值。
2.清潔布線,尤其是關鍵的傳感路徑。
3.選擇電感的小點或閉合磁(cí)路的電感。
4.加RC低通濾波器,這個效果有點(diǎn)差,C的(de)一(yī)致性也(yě)不好,偏差有點大(dà),不(bú)過應該夠照明了。無論如何,降頻沒有好處,隻有壞處,所以必須解決。
有時候mos管的頻率太高,主要是對體積(jī)的過分(fèn)追求,導致頻率增加,mos管上(shàng)的(de)損耗增加,所以發熱也增加。
第三,散熱設計。電路板散熱設計不好,電流過大。mos管的標稱電(diàn)流值一般需要散熱好(hǎo)。因此,如(rú)果ID小於額定電流,則熱量可能嚴重,需要足夠的輔助散熱器。
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