LED作為新（xīn）型照（zhào）明光源，具（jù）有高效節能、工作壽命長等優點，目前已（yǐ）廣泛使用於LED顯示、車用電子、生活（huó）照（zhào）明等各種照明場景（jǐng）。LED恒流驅動（dòng）特征需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為（wéi）了（le）提高電源能效，LED的驅動電源一（yī）般采用單級PFC的（de）拓撲。
如圖（tú）一所示，單級PFC的拓撲結構在輸入端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電（diàn）容，在遭遇雷擊浪湧時，浪湧能量很容易傳輸到MOSFET上，高壓MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容易發生雪崩（bēng）現象。在開關電源中，研發工程師要求MOSFET盡可能少發（fā）生或不發生雪崩（bēng）。
雪崩是（shì）指MOSFET上的電壓（yā）超過漏源極額定耐（nài）壓並發生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示（shì）意（yì）圖，圖中紅色標線為安全（quán）工作（zuò）區的（de）右邊界。雪（xuě）崩發生時，漏源（yuán）兩端的電壓超過額定BVDSS，並伴隨有（yǒu）電流流過漏源極，此時MOSFET工（gōng）作在此邊界（jiè）的右（yòu）邊，超出安全工作區（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工作區（SOA）
如圖三所示雪崩測量電路及（jí）波（bō）形，一旦超（chāo）出（chū）安全工作（zuò）區， MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測試的標準電路，右（yòu）圖為雪（xuě）崩期間的運行波形。MOSFET在關斷時（shí）因VDS電（diàn）壓過高（gāo）而（ér）進入雪崩狀態，雪崩期間漏源極電壓電流同時存在，其產生的瞬時功耗達（dá）到數KW，會大大影響整個電源的可靠性。且（qiě）雪崩（bēng）期間，必須（xū）保證（zhèng）其溝道溫度不超過額定溝道溫度，否則容易導致器件過溫失效。
圖三（sān） 雪崩測量電路及波形
在LED驅動電（diàn）源，工業控製輔（fǔ）助（zhù）電源等應用中，電源工程師在設（shè）計浪湧防（fáng）護時，可選（xuǎn）擇（zé）耐壓更高的（de）MOSFET，耐壓高的器件可將浪湧能量擋（dǎng）在AC 輸入端，讓輸入端口的MOV防（fáng）護器件來吸收，避免MOSFET超過安（ān）全工作區。這樣可以（yǐ）大大提高整機電源的（de）浪湧防護能力。
LED作為21世紀（jì）的綠色照明產品，正在大量取代傳統的光源。依托龐大的LED市場，國產器件在SJ MOSFET領域替換進口品牌的潛（qián）力極大。維安結合市場和客戶的需求，在產品工藝（yì）、封裝上持續創新，針對LED照明領域通用（yòng）的800V以上耐壓的規格，在產（chǎn）品係列、規格尺寸上也更加齊全。那麽，應該（gāi）如何避免MOSFET應用（yòng）時的（de）雪崩破壞呢？從浪湧防護的角度來說，電源工程師可以增加AC輸入端浪湧防護元件的（de）規格，使AC前端器件防護元（yuán）件吸收掉絕大部分浪湧（yǒng）能量（liàng），降低浪湧殘壓（yā），如增加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以及增加RCD浪湧吸收電（diàn）路等。另外，亦可選擇更高電流ID或者更（gèng）高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生（shēng）雪崩，但更高的ID往往意味著更高的（de）成本，故而，選擇更高耐壓規格成為一（yī）種更簡易安（ān）全且極具性價比的方案。
維安(WAYON)是電路保護元器件及功率半導體提供（gòng）商。WAYON始終堅持“以客（kè）戶為（wéi）導向，以技術為（wéi）本，堅持艱苦奮鬥”的核心價值觀。致力於通過技術（shù）創新引領市場，努力成為全球電路（lù）保（bǎo）護元器件及功率半導體的領先品牌。
LED作為新型照明光源，具有高效（xiào）節能、工作壽命長等（děng）優點，目前已廣泛使用於LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅動特征需要特（tè）定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電（diàn）源能效，LED的驅動電源一般采用單級PFC的拓撲。
如圖一（yī）所示，單級PFC的拓（tuò）撲結（jié）構在輸入端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電容，在遭遇雷擊浪（làng）湧（yǒng）時（shí），浪湧能量很容易傳輸到MOSFET上（shàng），高壓MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容易發生雪崩現象。在開關電源中（zhōng），研發工（gōng）程師要求MOSFET盡可能少發生或不（bú）發生雪崩。
雪崩是指MOSFET上的電（diàn）壓（yā）超過漏源極額定耐壓並發生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示（shì）意圖，圖中紅色（sè）標線為安全工作區的（de）右邊界。雪崩發生時，漏源兩端的電壓超過額（é）定（dìng）BVDSS，並（bìng）伴隨有電流流過漏源極，此時MOSFET工作在此邊界的右邊，超出安（ān）全工作區（SOA）。
圖（tú）二 某600V MOSFET安全（quán）工作區（SOA）
如圖三所示雪崩測量電路及波形（xíng），一旦超（chāo）出安全工作區， MOSFET功耗將大增。左（zuǒ）圖為（wéi）雪崩測（cè）試（shì）的標（biāo）準電路，右圖為（wéi）雪崩期間的運行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過（guò）高而進（jìn）入雪崩狀態，雪崩期間漏源極電壓電流同時存在，其產生的瞬時功耗達（dá）到數KW，會大大影響整個（gè）電源的可靠性。且雪崩期間，必須（xū）保（bǎo）證其溝道溫度不超過額定溝道溫度，否則（zé）容易導致器件過溫失效。
圖三（sān） 雪崩測量電（diàn）路及波形
在LED驅動電源，工業控製輔助電源等應用中，電源（yuán）工程師在設計浪湧防護時，可選（xuǎn）擇耐（nài）壓更高的MOSFET，耐壓高（gāo）的器件可（kě）將浪湧能（néng）量擋在AC 輸（shū）入端，讓輸入端（duān）口的MOV防護器件來（lái）吸收，避免MOSFET超過安全（quán）工作區。這樣可以大大提高整機電源的浪湧防護能力。
LED作為21世紀的綠色照明產品，正在大量取（qǔ）代傳（chuán）統的光源。依托龐大的LED市場（chǎng），國產器件在SJ MOSFET領（lǐng）域替換進口（kǒu）品牌的潛（qián）力極大。維安結合市場和客（kè）戶的需求，在產品（pǐn）工（gōng）藝、封裝上持續創新，針對（duì）LED照（zhào）明領域通（tōng）用的800V以上耐壓的規（guī）格，在產品係列、規格尺寸上也更加齊全。那麽，應該如何避免MOSFET應用時的雪崩破壞呢？從浪湧防護的（de）角度來說，電源工程師可以增加AC輸入端浪湧防護元件的規格，使AC前端器件防護元件吸收掉絕大部分（fèn）浪湧能量，降低浪湧殘壓，如增加（jiā）壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低（dī）的壓敏以及增加（jiā）RCD浪湧吸收電路等。另外，亦可選擇更高電流ID或者更高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生雪崩，但更高的ID往往意味（wèi）著更高的成本，故而，選擇更（gèng）高耐壓規格成為一種（zhǒng）更簡易安全且極具性價比的方（fāng）案。
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