MOS的（de）閾值電壓VT隨溫度降（jiàng）低。另一方麵，遷移（yí）率μn隨溫度降低，決定Ron的所有主要因素中，Ron隨（suí）著（zhe）溫（wēn）度升高。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍（bèi），因此Ron會翻倍。
轉移特性，在低Vg時，由於Vt的（de）主要影響因素降低（dī），所以飽和電流IDsat隨T增加。在高Vg時，由於（yú）主（zhǔ）要的遷移率降低，所以IDsat降低。交點表示為溫度補償（cháng）點TCP。
當Vc=常數時，溫度係數βT可表示為：
通常，功率（lǜ）MOSFET設計並不是用於工作在夾斷區域，也稱為線性區域，如果這（zhè）麽設計，則TCP下方的工作性能可能導致熱（rè）不穩定（dìng）。在較小的（de）柵極電壓下，由（yóu）於閾值電壓的（de）溫度依賴性，漏極電流（liú）隨溫度（dù）而增加。
如果器（qì）件在該區域內工作，則將產生熱點並發生（shēng）熱失控，在較大的柵極電壓（yā）下，因為載流子遷移（yí）率在高溫下降低，所以漏極電流隨著溫度的（de）升高而降低。溝道（dào）寬度（dù）越大，不穩（wěn）定區域越明顯。
當將脈衝功率保持（chí）在相（xiàng）同的值（Spi02）時，功率MOSFET 器件在不同電壓偏置下的溫度瞬態（tài）變化（huà）。器（qì）件是（shì）穩定（dìng）的還是會受到破壞，完全取決於偏置條件，即漏極電壓、漏極電流和脈衝持續時間，而不僅僅取決於平
均功率。例如，實現6A且VD=15V的90W脈（mò）衝電源應用（yòng）器件是穩定的，但在Vp=30V且（qiě）Ip=3A時，工作（zuò）點低於TCP,器件會受到破壞性的熱失控。使用電流溫度係（xì）數βr=ΔIp/ΔT,可以區分操作點。根據偏差，使器件保持（chí）穩
定的（de）熱點（diǎn）增長。在現代溝（gōu）槽MOSFET中，單元密度較高並且溝道寬度（dù）W較大，線（xiàn）性電路模式的安全工作區域會減（jiǎn）小［Cha16,即使在（zài）開啟或關閉期間相對較短的電流飽和持續時間也可能導致器件失效。
