MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導體（tǐ）型場效應管，屬於場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被（bèi）稱為絕緣柵場效應管（guǎn）。在一般電（diàn）子電路中，MOS管通常被用於放大電路或開關電路。

三極管和（hé）MOS管的原理並不複雜，但是分（fèn）開講述細節，反而不如對比起來容易理解。這裏用一張圖，讓您輕鬆理解MOS管和三極管的工作原理。

一張圖對比MOS管及三極管的工作原理

這裏以NMOS和NPN三極管為（wéi）例，並且以電子流（而非電流）方向為主來說明。

一、符號

MOS管一般可以簡化為三個極，分別是柵極（jí）（G）源極（jí）（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控製型器件，用柵極電壓來控製源漏的（de）導通情況（kuàng）；

BJT三極管有（yǒu）三個極，分別是基極（B）發射極（E）和集電極（C），三極管是電流控製型器（qì）件，用基極（jí）電流來控製發射（shè）極（jí）與（yǔ）集電極的導通情況；

二、截止區

NMOS管（guǎn）的如果柵（shān）壓小於閾值電壓（yā），MOS管相當於兩（liǎng）個背靠背的（de）二極（jí）管，不導通；NPN三（sān）極管也一樣，如（rú）果偏壓小於閾值電壓，也相當於兩個（gè）背靠背的二極管，不導通；

三、線性區

NMOS如果柵上加正電（diàn）壓，就會在其下感應出相（xiàng）反極性的（de）負電荷，從而產生N型溝道，使源漏（lòu）導通。如果不考慮源漏（lòu）電壓影響，則柵壓（yā）高一點，產（chǎn）生（shēng）的溝道就寬一點（diǎn），導通能力就大一點，這就是線性區。

NPN管如果BE結加正向偏置導通（tōng），電子就會進入到基區。除了被基區的P型（xíng）空穴俘獲（huò）外，它們有（yǒu）兩個地方可以去（qù）：一個是從基極流出，一個是被（bèi）集電極更（gèng）高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電（diàn）子就會越多，這也（yě）是（shì）線性變化的。

四、飽和區

NMOS在漏極（jí）電壓比較高時，會使溝（gōu）道夾斷，之後即使電壓升（shēng）高，電流不會（huì）再升高，因此叫做（zuò）飽和（hé）區；

NPN三極管在集電極電壓比較高時，也會幾乎全部收集到從發射極過（guò）來的電子，電壓再升（shēng）高也沒有辦法收集到更多（duō），也是它的飽和區。

五、電流（liú）電壓曲（qǔ）線

在（zài）線（xiàn）性區，隨著電壓升高，源漏（lòu）電流（liú）或集電極（jí）電流上（shàng）升。而在飽和區電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一（yī）致。