近日（rì），德國慕尼黑和美國新罕布什（shí）爾州哈德遜訊—英飛淩科（kē）技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）與GT Advanced Technologies（GTAT）已經簽（qiān）署碳化矽（SiC）晶棒供貨協議，合同預期五年。通過這份供貨合同，英飛（fēi）淩進一步（bù）確保滿足其在該領域不（bú）斷增（zēng）長（zhǎng）的需求（qiú）。碳化矽是功率半導體的基礎材（cái）料，可用於打造高效（xiào）、耐用、高性價（jià）比（bǐ）的係統。英飛淩現已麵向工業應用市場推出業界規模最大的CoolSiC™產品組合，並（bìng）且正在迅速（sù）擴大（dà）麵向消（xiāo）費和汽車應用（yòng）的產（chǎn）品組（zǔ）合。

我們看到（dào）對碳化矽的需（xū）求在穩步（bù）增長，特別是（shì）在工業應（yīng）用方麵。不過，很明顯，汽車行業正（zhèng）在迅速跟進。憑（píng）借（jiè）我們現（xiàn）在簽訂的供應協議，我們保證能夠（gòu）以多樣化的供應商基礎滿足客戶快速增長的（de）需（xū）求。” GTAT的優（yōu）質碳化矽晶棒將為當前和未來（lái）滿足一（yī）流標準的有（yǒu）競爭力的碳化矽晶圓提供額外來源。這為我（wǒ）們雄心勃勃的碳化矽增長計劃提供有力（lì）支持，充分利用我們現有的內（nèi）部技（jì）術和薄晶圓（yuán）製造的（de）核心（xīn）競爭力。

我們非常高興能與英飛淩簽訂長期供貨協議，有了GTAT的協力，英飛淩得以用自身的薄（báo）晶圓技術加工GTAT的晶棒，實現保證內部供應高質量SiC晶圓（yuán）。碳化（huà）矽使用率的增長很大程度上取決於襯底成本的大幅降低，而這一協（xié）議是實現這一目標的重要（yào）一步（bù）。