肖特基二極管是（shì）以其發明人（rén）肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢（shì）壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成（chéng）SBD）的簡（jiǎn）稱。SBD不是利用P型半導體與N型（xíng）半導體接觸形成PN結原理製作的，而是（shì）利用金屬與半導體接觸形成的（de）金（jīn）屬－半導（dǎo）體結原理製作的（de）。那麽下來帶大家了（le）解一下肖特基二極管的原理。
肖特基二極管是貴（guì）金屬（金（jīn）、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用兩者接觸麵上形成的勢壘具（jù）有整流器（qì）特性而做成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬（shǔ）中僅有少量的自由電荷，所以電子便從濃度值高的B中向濃度值（zhí）低的A中擴（kuò）散。顯然，金屬（shǔ）A中沒有空（kōng）穴，也就不會有空（kōng）穴自（zì）A向B的擴散運動。
隨著電子（zǐ）不斷從B擴散到A，B表麵電子濃度（dù）值慢慢降（jiàng）低，表麵電中性被破壞，因此就形成勢壘，其電（diàn）場方（fāng）向為B→A。但在該電場作用下，A中的電子也（yě）會產生從A→B的飄（piāo）移運動，進而消弱（ruò）了由於擴散運動而形成的電場。當創建（jiàn）起一定寬度的（de）空間電荷區後，電場引起（qǐ）的電子（zǐ）漂移運動和濃度值不同引起的電子擴（kuò）散運動（dòng）達到相對的（de）平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖（xiāo）特基整流（liú）管的內部電源（yuán）電路結構是以（yǐ）N型半導體為基片，在上麵形成用砷作摻雜劑（jì）的N-外延層。陽（yáng）極使用鉬或鋁（lǚ）等材料做成（chéng）阻（zǔ）檔層。用二氧化矽（SiO2）來清除邊沿區域的電場，提高管子的耐（nài）壓值。N型基片具有很小的（de）通態電阻，其摻雜濃度值較H-層要高100%倍。在（zài）基片下邊形成N+陰極層，其作用是減（jiǎn）小陰極的接觸電阻
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