電源係（xì）統設計EMI的控製手段

●設（shè）計低阻抗電源（yuán）係統，確保在低於fknee頻率範圍（wéi）內的電源分配係統的阻抗低於目標阻抗（kàng）。

●使用（yòng）濾波器，控製傳導幹擾。

●電源去（qù）耦。在EMI設計中，提供合理的去耦電（diàn）容（róng），能使芯片可靠工作（zuò），並降低電源中的高頻噪聲，減少EMI。由於導線電感及其它寄生參數（shù）的影響，電（diàn）源及其供電導（dǎo）線響應速度慢，從而會使高速電路中驅動器所需要的瞬時電流不足。合理地設計旁路或去耦電容以及電源層的分布電容，能在電源響應之前（qián），利用電容的儲能作用（yòng）迅速為器件提供電流。正確的電容去耦可以提供（gòng）一個低阻抗電源路徑，這是降低（dī）共模 EMI的關鍵。

Coolmos過EMI電磁幹擾的控製手段

韓國（guó）SEMIHOW的CoolMOS，采用多層外延工藝（yì），通過優化（huà）內部的電容（róng）和電阻來減少EMI電磁幹（gàn）擾的噪（zào）聲，最大限度的平（píng）衡（héng）電磁幹擾和效率，提高產品穩定性。

電磁幹擾EMI相對於其他友商減少3-5個DB的規格（gé），更容易通過EMI測（cè）試。

內阻ESD靜電保護，客戶可以不添加外部的二極管（guǎn）來（lái）保護電路，降低成本。

SEMIHOW在麵對（duì）中國市場的過程中一直秉持高效（xiào）性和幫（bāng）助客戶降低成本經（jīng）營理念，幾乎（hū）所有（yǒu）的規格都可以在48小時內提供樣品，高效的（de）時（shí）效性，大大（dà）提（tí）高了市場的覆（fù）蓋（gài）麵。

使得SEMIHOW的COOLMOS很容（róng）易被納入電源產品設計之中，並能使用更低的柵源電壓，從而使其（qí）更易（yì）於（yú）驅動（dòng），並降低空載損耗。

特（tè）別是在價格敏感的細（xì）分市場，得益於采用三（sān）星的晶圓產品線（xiàn）沒有設備的折舊費，麵對終端客戶的價格具有誘人的性價比