碳化矽（guī）二極管是一種（zhǒng）適用於功率半導體（tǐ）的革命性材料（liào），其物理屬性遠遠優於矽（guī）功率器件。重要（yào）特點包含榜樣性的電源開關特性、沒（méi）有反向恢複電流量、溫度基本上不容（róng）易危害電源開關個（gè）人行為和規範操作溫（wēn）度（dù）範疇為-55℃至175℃。碳（tàn）化矽肖特基二極管（SiCSBD）的器（qì）件選用了斷勢壘肖（xiāo）特基二極管構造（JBS），能夠合理減少反方向泄露（lù）電流，具有（yǒu）更強的耐髙壓工作能力。

　　碳化矽二極管是（shì）一種單極型器件，因而對比於傳統式的（de）矽快修複二極管（SiFRD），碳（tàn）化矽二極管具備理想化的反向恢複特點。在器件從正指導通往反（fǎn）方向（xiàng）阻隔變換時，基（jī）本上沒有反向恢複電，反向恢複時間低於20ns，乃至600V10A的（de）碳化矽二極管的反向恢複時（shí）間在10ns之（zhī）內。因而碳化矽二極管能夠工作中在（zài）高些（xiē）的（de）頻率，在同樣頻率下具備高些的高效率。另一個關鍵的特性是（shì）碳化矽二極管具備正的溫度係數，伴隨著溫度的升高電阻器也慢慢（màn）升高，這與矽FRD恰好（hǎo）反（fǎn）過來。這促使碳化矽二極管特別適合串聯好（hǎo）用（yòng），提升（shēng）了係統軟（ruǎn）件的安全係數和可信性。

　　碳化矽二極管是髙壓迅速與低輸出功率耗損、耐熱緊密結合的理想（xiǎng）化器件。現（xiàn）階段國際性上陸續（xù）研（yán）製水準較高的多類型的碳化矽器件。SICSBD做為零修複（fù）二極（jí）管，對高頻率輸出功率電源（yuán）電路有非常大改進。碳化矽二極管（guǎn）與眾不（bú）同的高溫特點使其在高溫自然環境的輸出功率運用中具備潛在性優點。碳化（huà）矽二極管因髙速（sù）trr而使開（kāi）關損耗減少（shǎo），加（jiā）上VF的改進，在輸出功率二極管中能夠說成耗損最少的（de）二極管。碳化矽（guī）二極管因VF減少，而完成更低通斷耗損。順向特點數據圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是第二代，可確定VF的減少。

　　碳化矽二極管的各（gè）類性能指標（biāo）均優（yōu）於一般雙極（jí）二極管技術性。碳化矽二極管通斷與關閉（bì）情況的變（biàn）換速率十分（fèn）快，並且沒有一般雙極二極管（guǎn）技術性電源開關時的反向恢複電流量。在清除（chú）反向恢複電流量效用後，碳化矽二極管的耗能減少70%，可以（yǐ）在（zài）寬溫度（dù）範圍（wéi）內維（wéi）持高能耗等級，並提升設計方案工作人員（yuán）優化軟件輸出功率的協調能力。

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