肖特（tè）基二極管通稱SBD，它並不是運用PN結基本原理製做的，它是以（yǐ）金屬材料（liào）為正級，以N型半導體（tǐ）為負級（jí），運用二者表麵上產（chǎn）生的勢壘具備整流器特點而做成的一種半導體元器件，是一種熱載流（liú）子二極管，肖特基二極管在電源電路中主（zhǔ）要是作整流二極管、續流二（èr）極管、維護二（èr）極管等，關鍵用在（zài）低壓、大（dà）電流（liú）量的電源電路（lù）中，如電源變壓器、軟啟動器、逆變（biàn）電源（yuán）、光纖（xiān）通信。 肖特基（jī）二極管（guǎn）是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級，以（yǐ）N型半導體B為負級，運用二者表麵上（shàng）產生的勢壘具（jù）備整流器特點而做成的金屬材料-半導體元器件。由於N型半導體（tǐ）中存有（yǒu）著很多的電子器（qì）件，貴（guì）重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電（diàn）子器件便從濃度值高的B中往濃度值低（dī）的（de）A中外擴散。
顯而易見，金（jīn）屬材料A中（zhōng）沒有空化，也就不會有空化自A向B的外擴散健身運動。伴隨著電子器件持續從B外擴散到A，B表層電子器件濃度值慢慢（màn）減少，表（biǎo）層電荷平衡被毀壞，因此就產生勢壘，其電（diàn）場方向為（wéi）B→A。但（dàn）在該靜電場功效之中，A中（zhōng）的電子器件也會造成從A→B的飄移健身運動，進而消弱了（le）因為外擴（kuò）散健身運動而（ér）產生的（de）靜電場。當創建起一定總寬的（de）空間電荷區後，靜電場造成的電子器件飄移健身運動和濃度值不一樣造成的電子（zǐ）器件（jiàn）外擴散健身運動做（zuò）到相對（duì）性的均衡，便產生了肖特基勢壘。
典型性的肖特基整（zhěng）流管的內部電源電路（lù）構造是以N型半導體為襯底，在上麵產生用砷作（zuò）摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應（yīng）用鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化矽（SiO2）來清除邊沿地區的靜電場，提升水管的抗壓值。
N型襯底具（jù）備不大的通態電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高（gāo）100%倍。在（zài）襯底下麵（miàn）產生N+負極層，其功效是減少負極（jí）的回路電阻。根據優化結構主要參數（shù），N型襯底（dǐ）和陽極氧化金屬材料中（zhōng）間便產生（shēng）肖特基勢壘，如下圖所示。當在肖特基勢壘兩邊再（zài）加順（shùn）向偏（piān）壓（陽極氧化金屬材料插線正級（jí），N型襯底插線負級）時，肖特基勢壘層變小，其內電阻縮（suō）小；相反，若（ruò）在肖特基勢壘兩邊再加反（fǎn）方向偏壓時，肖特基勢壘層則變大，其內電阻增大。
上述所（suǒ）講解的就是
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