碳化矽二極管於1985年問世。吉田是在3C-碳化矽上做的。其肖特基勢（shì）壘高度通（tōng）過電容測量為1.15 (0.15) eV，通過光學響應測量為（wéi）1.11 (0.03) eV。它的擊穿電壓隻有（yǒu）8伏。第一個6H-碳化矽肖特基二極管的擊穿電壓約為200伏。Bhatnagar報道了第一個高電壓400伏6H-SiC肖特基勢（shì）壘二極管，具有低導通狀（zhuàng）態電壓降（jiàng）(1 V)和無反向恢複電流。隨著碳化矽單晶、外延質量和技術水平的不斷提高，越來越多性能優越的（de）碳化（huà）矽二極管被報道。

　　1993年，報（bào）道了第一個擊（jī）穿電壓超過（guò）1000伏的碳化矽（guī）二極管。器件的肖（xiāo）特基接觸（chù）金屬是鈀。它采用氮型外（wài）延，摻雜濃度為110厘米，厚度為10微米。1995年前後出現了高質（zhì）量的（de）4H-碳化矽單晶（jīng）。它比6H-碳化矽具有更高的電子遷移率和更大的臨界擊（jī）穿電場，這使得人們更傾（qīng）向於研究4H-碳化矽肖特基二極管（guǎn）。

　　1995年首次報道了鎳/4H-碳化矽二極管（guǎn）。外延摻雜濃度為11016厘米，厚度為10微（wēi）米，擊穿電壓（yā）為1000伏，100安（ān）/厘米時正向壓降為1.06伏，室溫下比導通電阻為210厘米。2005年，中村友紀等人使用鉬作為肖特基接觸，擊穿電壓為（wéi）4.15千伏（fú），比接觸電（diàn）阻為9.07米（mǐ）厘米。肖特基（jī）二（èr）極管的勢壘高（gāo）度也隨著退火溫度的增加（jiā）而（ér）增加。在退火溫度為600時，勢壘高度為1.21 eV，而理想因子是穩定的，隨著（zhe）退火溫度的升高變化不大。趙建輝利用氮型碳化矽外延和多級結（jié）終端擴展技術製作了擊穿電壓高達10.8千伏的鎳/4H-碳化矽肖（xiāo）特基二極管。外延摻雜濃度（dù）為5.610cm，厚（hòu）度為115m。肖特基二極管采用多級（jí）結終端擴（kuò）展技術，保護肖特基結邊緣不被過早擊穿。

　　碳化矽二極管在導通過程（chéng）中沒有（yǒu）額外的載流子注入和（hé）存儲，因此（cǐ）反向恢複電（diàn）流小，關斷過程快，開關損耗小。傳統的（de）矽肖特基二（èr）極管隻（zhī）能用於120-200伏的低壓場合，不適合在150以上工作（zuò），因（yīn）為所有金屬與矽的功函數（shù）差不是很大，矽的肖特基勢壘低，矽SBD的反向漏電流大，阻擋電壓低。然而，碳化矽SBD彌補了矽（guī）SBD的短缺。許多金屬，如鎳、金、鈀、鈦、鈷（gǔ）等。可以與（yǔ）肖特基勢壘高度（dù）超過1 eV的碳化矽（guī）形成肖特基（jī）接觸。據報道（dào），金/4H-碳化矽接觸的勢壘（lěi）高度可以達到1.73 eV，而鈦/4H-碳化矽接（jiē）觸的勢壘高度相對較低，但最高也可以達到1.1 eV。6H-SiC和各（gè）種金（jīn）屬觸點之間的肖特基勢壘高度變化很大，最小值為0.5 eV，最（zuì）大值為1.7 eV。因此，SBD已成為碳化矽電力電子器件發展的第一個重點。它（tā）是（shì）一種集（jí）高電壓、高速度、低功耗和耐高溫於一體的理想器件。目前，世界上已相繼開發出多種成功程度很高的碳化矽器件。

　　上述所講解的就（jiù）是碳化矽二極管（guǎn）的曆史發展，希望看（kàn）完能夠對您有所幫助，如果您想要了（le）解更多關於碳化矽二極管的相關（guān）信息的（de）話（huà），歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網站右上角）進行谘詢，我（wǒ）們（men）將竭誠為您提供（gòng）優質的服務（wù）！