與PN結器件相比，碳化矽二極管更像是一種理想的開關。肖特基二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢複電荷(Qrr)和恢複軟化係數。當二極管電（diàn）壓變為反向偏置時，低Qrr大大縮短了關斷過程所需的時間，即反向（xiàng）恢複時間trr。碳化矽二極管trr小（xiǎo）於0.01微秒。它便於在高頻範圍內使用。一些數據顯示，它的工作頻率可以達到1兆赫(一些（xiē）報告也顯示，它（tā）可（kě）以（yǐ）達到100千兆赫)。高軟化係數將減少二極管（guǎn）關斷產生的電磁幹擾噪聲，並減少換向操作幹擾。碳化矽（guī）二極管還具有優於PN結器件的優（yōu）勢，因為它們具有低正向導通電壓和低導通損耗。

　　碳化矽二（èr）極管（guǎn）是（shì）一種由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製成的（de）金屬半導體器件。)A作為（wéi）正電極，N型半導體B作為負電（diàn）極，並且使（shǐ）用在（zài）兩者的接觸表麵（miàn）上形成的阻擋層（céng）來具有整流特性。因為在N型（xíng）半導體（tǐ）中有大量的（de）電子，而在貴金屬中隻有非常少量的自由電子（zǐ），所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在（zài）金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴（xué）從A到B的擴散運動（dòng）。隨著電子繼續從B擴散到A，B表麵上的電子濃度（dù）逐漸降低，表麵的電中性被破壞，從而形成電場（chǎng）方（fāng）向（xiàng）為B A的勢壘。然而（ér），在該電場的作用下，A中的電子也將產生從A到B的漂移運動（dòng），從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定寬度的空間電荷（hé）區時，電場引（yǐn）起的電子漂移運動和不同濃度引起的電（diàn）子擴散（sàn）運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。

　　典型的碳化矽二極（jí）管的（de）內部電路結構基於N型半導（dǎo）體，在其上形成摻雜有砷的N外延層（céng）。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以（yǐ）形成阻（zǔ）擋層。二氧化矽(二氧化矽（guī）)用於（yú）消除邊緣區域的電（diàn）場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有（yǒu）非常小的導通電阻，並且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在（zài）襯底（dǐ）下麵（miàn）形成一個氮陰極（jí）層，以降低陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，在N型襯（chèn）底（dǐ）和陽極金（jīn）屬之間形成肖特（tè）基（jī）勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時（shí）(陽極金屬連（lián）接到電源的陽極，並且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基（jī）勢壘層變得更窄，並且其內部（bù）電（diàn）阻變（biàn）得更小。另一（yī）方麵，如果反向偏壓被施加到肖特基（jī）勢壘的兩端，肖特基勢（shì）壘層變（biàn）寬，並且其內（nèi）部電阻變大。

　　上述所講解的就是碳化矽二極管的（de）基本特征，希望看完能夠對您有所幫助，如（rú）果您想要（yào）了解更多關於碳化矽二極管的相關信息的話，歡迎在線谘詢客服或（huò）是撥打本公司服務（wù）熱線（網站右（yòu）上角）進行谘詢，我們將竭誠為（wéi）您提供優質的服務！