肖特基二極管是（shì）由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製（zhì）成的金屬半導體器件。)作為正電極，N型半導體作為負電極，並且利用形成（chéng）在兩者（zhě）的接觸表麵上（shàng）的勢壘的整流特性。因為（wéi）在氮型半導體（tǐ）中有大量的電子，而在貴金屬中隻（zhī）有極少量的自由電子，所以電子從高濃度的硼（péng）擴散到低濃度的（de）硼。當肖特基二（èr）極管建立一定寬度的空間電荷區時，電場引起的電子漂移（yí）運動和不同濃度引（yǐn）起的電子擴散運動（dòng）達到相（xiàng）對平（píng）衡，從而形成肖特基勢壘。
肖特基二極管的（de）內部電路結構基於氮型半導體，其上形成摻砷的氮外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以（yǐ）形成阻擋層。二（èr）氧化矽(二氧化矽)用於（yú）消除邊緣區域的電場並提高管的耐壓性。肖特基（jī）二極管具有開關（guān）頻率高、正向電壓降低的優點，但（dàn）其反向擊穿電壓（yā）相對（duì）較低，大多不高於60V，至多隻有100V左右，限製了其應用範圍。
肖特基二極管分為兩（liǎng）種封裝形式：引線和表麵貼裝(貼片)。帶（dài）引線封裝的肖（xiāo）特基二（èr）極管通（tōng）常用作高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管。它提（tí）供單管和雙管(雙二極管)封裝。肖特基二極管（guǎn）也有三種引腳引出模式：公共陰極(兩個管的陰極相連（lián）)、公共陽極(兩個管的陽極相連)和串聯(一個二極管的陽極（jí）與另一個二極管的陰極相連)。表麵封裝肖特基二極管（guǎn）包括單管、雙管和三管（guǎn）封（fēng）裝，有a～19引腳（jiǎo）引出方法（fǎ）。
