中芯國際（jì）新增多條專利信息，其中一條發明專利名（míng）稱為“晶圓的（de）清洗方法（fǎ）”，公開號為（wéi）CN111584340B，法律狀態為已獲授權。

專（zhuān）利摘要顯示（shì），一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶圓；清（qīng）洗所述晶圓表（biǎo）麵，清洗後的（de）所述晶圓表麵呈正電性，晶圓表（biǎo）麵殘留物具有負電（diàn）性；調節所述晶圓（yuán）表麵（miàn）電性或所述（shù）殘（cán）留物的電性，使所述晶（jīng）圓表（biǎo）麵（miàn）和所述殘留物的呈相同電性；對所述晶圓表麵進行幹燥，去除所述（shù）殘留物。根據（jù）同（tóng）性相斥（chì）的（de）原（yuán）理，經過調節後所述殘留物與（yǔ）所述晶圓（yuán）表麵電（diàn）性相同，因此所述殘留物（wù）不會粘附在所述晶圓的表麵，而是懸浮在晶圓表麵的液膜（mó）內。在後續的幹燥過程中，懸浮（fú）在液膜（mó）內的殘留物會隨（suí）著液（yè）膜（mó）一起被去除，提高了產品良率（lǜ）。

中芯國際指出，目前在半（bàn）導體器件的的製造工藝中（zhōng），經常會在具有疊層結構的半（bàn）導體器件表麵上形成凸凹（āo）不平的結構（gòu），通常使用化學機械研磨（CMP）工藝平整凸凹不平的（de）表麵。化學機械研磨亦稱為化學（xué）機械拋光，是目前機械加（jiā）工中唯一可以實現表麵全局平坦（tǎn）化的技術。化學機（jī）械研磨工藝中（zhōng），一般是把芯片放在旋轉的研磨墊（pad）上，再加一定的壓力（lì），使用含有拋光顆粒（例如SiO顆粒）的研磨液（slurry），在化學腐蝕與（yǔ）磨削移除的交互（hù）作用下進行平坦化。在化（huà）學機械研磨工藝之後，研磨液中的顆粒（lì）成（chéng）為（wéi）缺陷微粒存在於晶圓表麵，因此必須從晶圓表麵完全除去才（cái）能保持半導體器件的可靠（kào）性和生產線的清潔度。鑒於此，實有必要提出一種晶（jīng）圓的（de）清洗（xǐ）方法，以提升清洗效果，從而提高產品的良率。