低壓MOSFET快速替代的時候遵循以（yǐ）下5點：

1，匹配封裝

2，溝道類型（NMOS、PMOS）

3，電壓Vds

4，內阻RDS(on)-----要注意在同樣的VGS(TH)測試條件下對比

5，閥（fá）值電壓VGS(TH)

6，匹（pǐ）配柵極電荷（hé）量Qg，或者電容Ciss,Coss,Crss（會影響開關損耗）-----低壓MOS對此類參數要求並不高，如果客戶應用開（kāi）關頻率較高，需要確認開（kāi）關速度越快優（yōu）點是開關損耗越小，效率高，溫升低。對應的（de）缺點是（shì）EMI特性差，MOSFET關（guān）斷（duàn）尖峰過高

以下是MOSFET主要參數：

VDS：漏（lòu）源電壓（VDSS）Drain to Source Voltage DS未發生擊穿前所能施加（jiā）的最大電壓。VDS一定要留餘量，為（wéi）了考慮低溫時，和惡劣條（tiáo）件下開關（guān）機（jī）的VDS電壓尖峰。

ID：連續電流 Continuous Drain Current 漏源最大單脈衝電流，也稱連續電流。條件是在最大額定結溫TJ(max)下，管表麵（miàn）溫度在25℃或者更（gèng）高，溫（wēn）度下，ID會（huì）隨溫度的升高而（ér）降低

VGS 柵漏電壓 Gate to Source Voltage 最大GS電壓. 指在GS兩極間可以放加的最（zuì）大電壓。

VGS(th) 開啟（qǐ）電壓 Gate threshold voltage 這個電壓是指MOS管（guǎn）中開始形（xíng）成（chéng）導電溝（gōu）道所需要的GS之間的電壓，標記為Vgs(th)，一般N-MOSFET的話，這個電壓一般是2-4V之間。

Rds(on) 導（dǎo）通電阻 Drain to source on state resistance 越小越（yuè）好，直接決定MOSFET的導通（tōng）損耗，Tj增加Rds(on)增大，即是正溫度係數（shù）

PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越（yuè）大越好

Tj 最大工作結溫 通常為150度和175度（dù）

Fm 最高工作頻率 最高工作頻（pín）率,當工作頻（pín）率超過某一值時，它的單向導電性變（biàn）差。肖特基的Fm值較高，最大可達100GHz。

Trr 反向恢複時間 當工作電壓（yā）從正向電（diàn）壓變成反向電壓時，二極管工作的理（lǐ）想情況是電流能瞬時截止。實際一般要延遲一點時間，決定電流（liú）截止（zhǐ）延時的量，就是反向恢複時間（jiān）。這個值不一定小就好，要合適（shì）。

Qg 柵極總充電電量 Total gate charge

Ciss 輸入電容（róng） Input capacitance 輸（shū）入電容 =Cgs+Cgd ，該參數影響（xiǎng）到（dào）MOSFET的開關時（shí）間，Ciss越大，同樣驅動能力下，開通及關斷（duàn）時間就越（yuè）慢，開關損（sǔn）耗也就越大，這也是在電源電路中要加加速電（diàn）路的原（yuán）因，但較慢（màn）的開關速度對應的（de）會帶來較好的EMI特性

Coss 輸出（chū）電容 Output capacitance 輸入電容 =Cds+Cgd

Crss 反向傳（chuán）輸電容 Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 =Cgd（米勒（lè）電容（róng）），影響漏極有異常高電壓時，傳輸到MOSFET柵極（jí）電壓能量的大小（xiǎo），會對雷擊測（cè）試項目（mù）有（yǒu）一定影響