目前MOS工藝主要分為三類：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 溝槽工藝，具有（yǒu）導（dǎo）通電阻（zǔ）小，寄生電容小，開關速（sù）度快等優點。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工藝，是屏蔽溝槽工藝，屏蔽深溝槽工藝，這（zhè）個是基於傳統溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進型的（de）溝槽式功率 MOSFET。相（xiàng）比於傳統 U-MOSFET 功率器件，它的開關速度更快，開關損耗更低，具有更好的器件性能。

3 Super-Junction MOSFET：超結MOSFET，具有（yǒu）更低的通態阻抗，更低的傳導損耗，更低的開啟電壓，更快的開關速度，更低（dī）的柵極電荷Qg等。它的缺點，在（zài）開關（guān）電（diàn）源係統應用會出現EMI可能超標；柵極震蕩；抗浪湧及耐壓能力差；漏源極電壓尖峰比較大等等。