由愛集微（wēi）主辦，張江高科協辦的《後摩爾時代下（xià）第（dì）三代半導體的技術趨勢》論壇於上海舉辦，邀請到來自第三代半導體產業鏈各（gè）環節廠商，電動車、快充、新型顯示廠商，以及產業研究學者，行（háng）業分析師等（děng），共同探討行業發（fā）展趨勢（shì）。

在（zài）論壇上，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（下稱“泰科天潤”）營銷副總秋琪發表了（le）主題為《碳化矽芯片製造為啥這麽難?》的精（jīng）彩演（yǎn）講。

據（jù）悉（xī），泰科天潤是國內（nèi）首家第三代半導體材料碳化矽功（gōng）率芯片生產製造與應用解決方（fāng）案提供商，亦是國內最（zuì）早實現碳（tàn）化（huà）矽器件規模化銷售的企業，該公司目前擁有（yǒu）兩條可以批量化（huà）麵對市場的碳化矽芯片完整生產線。

作（zuò）為國內銷售規模最大、器（qì）件種類最全的碳化矽功率芯片生產企業，秋琪在演講中針對碳化矽（guī）芯片製造工藝特點（diǎn）、碳化矽減薄工藝實操中碰到的問題以及國產SiC的發展（zhǎn）機遇等幾（jǐ）個方麵的內容進行了分享。

秋琪談到，雖然第（dì）三代半導體線寬要求不高，以180納（nà）米到（dào）0.5微米為（wéi）主，卻因材料的特殊性（xìng）導致對工藝也（yě）有特殊要求；需要將（jiāng）設計和特殊工藝達到（dào）最優化，製造難度其實較大，因此第三代半導體廠家會朝IDM的方向發展。此外，短期（qī）內需投入（rù）的資本規模也較大。

與矽器件相比（bǐ），碳化（huà）矽材料由碳和矽雙元素組成，不僅更硬、更脆、呈透明狀（zhuàng），同（tóng）時晶格也更（gèng）難（nán）擴散。

秋（qiū）琪指出，碳化（huà）矽芯片製造在（zài）工藝上首先需要通過高能注入並采用高溫化退火工藝來解決晶格（gé）擴散的（de）難題；其次是要通過高（gāo）溫氧化工（gōng）藝提（tí）高氧化（huà）速率，抑製碳生物量；而碳化矽透明、硬、脆的特質，也大大增加了設備傳送、取片、幹刻（kè）、挖槽、甩幹、減薄等環節的工藝難度。從而導致碳化矽芯片長期處於生產效率低、碎片率高、難以量產的局麵。為了確保設計方案的穩定性和一致性，勢必對廠商的工藝有更（gèng）加嚴苛的要求。

演講（jiǎng）中，秋琪也對當前一些典型應用方案裏碳化矽減薄工藝的實操難（nán）點進行剖（pōu）析（xī）。

秋琪介紹（shào）到，如果要將碳化矽（guī）晶圓厚（hòu）度（dù）從350微米減薄至200甚至100微米，僅僅在單步工藝質量要求上，廠商就需（xū）要（yào）同時兼顧晶圓整體無破損（sǔn）、表麵TTV、表麵損傷層厚度（dù）、表麵粗糙度以及晶圓片間厚度均勻性這五個方麵（miàn）。

介（jiè）於碳化（huà）矽的（de）幾大特性，在生產過程中極易出現碎片、裂片，甚至由於粗糙度、翹曲度變（biàn）化，引起薄（báo）膜（mó）、退火表麵態狀況變（biàn）化。

秋（qiū）琪（qí）認為：“在晶圓正麵保護、清洗甩幹、背金成膜、背金（jīn）退火這些工藝整合環節，實際（jì）產業化的過程中需特別注意貼膜撕膜（mó）、鍵合結鍵、高溫浸泡和（hé）傳送、幹燥及甩幹條件、蒸發、濺射以及燈退火、激光退火的問題。”

除了製造工藝方麵的（de）經驗分享，秋琪也談起了（le）國產SiC眼下的（de）發展機遇。

秋琪表示，雖然短期內仍以Si為主，SiC難以實（shí）現“取代”，但隨（suí）著成（chéng）本降低，SiC快速切入各應用領域，市場呈現出爆發（fā）式（shì）增長的態勢，SiC也將逐（zhú）漸侵占Si市場（chǎng）份額。

現階段，碳化矽主要（yào）用於電動汽車（chē）、充電樁、光伏/儲能、電源（yuán）、電機驅動（dòng）、UPS以及軌道交通等領域。

目前（qián）國內SiC二極（jí）管已在OBC、充電樁、光伏、電（diàn）源、PD快充等（děng）領域批量出貨，其中不乏一些行業（yè）標（biāo）杆（gǎn）客戶，而SiC MOSFET由於驗證周（zhōu）期長、產品可靠性、客戶信心不足的問題使得導入速度較慢，還處在（zài）客戶端可靠（kào）性檢驗與特性驗證階段。

秋琪認（rèn）為，中美貿易問題使得國產化更加迫（pò）切（qiē）也更符合國家和民族需求，而持續擴大的缺貨浪潮也給國產器件實現替代創造了機會。加之（zhī）國家政策引導和能源產業革新的推動，國產SiC將迎（yíng）來廣闊的（de）發（fā）展。